工学讲坛149

　　报告题目：SiC功率半导体器件的发展

　　报告专家：李彦君

　　时间：5月22日（周四）13:30

　　地点：工学院25-512

　　报告人简介：

　　李彦君，男，2018年于北京交通大学获电气工程专业工学学士学位，2024年于浙江大学获电气工程专业工学博士学位，2024年通过“百人计划”加入浙江大学杭州国际科创中心担任研究员。主要研究方向为宽禁带SiC和GaN电力电子器件的结构设计优化、微纳制造和可靠性研究，作为主要成员参与了国家自然科学基金和作为负责人承担了浙江省自然科学青年基金等多个科研项目。研究成果在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters、AIP Applied Physics Letters、International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs等国际顶级期刊与会议上发表多篇学术论文。